檢索結果：共2筆資料 檢索策略： "Thin film".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="柯文政"
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氮化鎵為第三代高功率半導體熱門材料，在高功率動作下，元件將被施加更高偏壓，因此，如何提升氮化鎵薄膜材料品質以及提升薄膜電阻率攸關元件能否操作在更高功率。本研究針對上述問題提出使用石墨烯介面層結構，降…
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為了促使LED元件達到更高的發光強度與使用壽命，同時避免電流堆積造成的高溫與光電性質劣化，多年來研究團體持續找尋適當的LED導電層。本研究欲在氮化鎵LED基板上製備具備熱穩定性的n型超奈米晶鑽石薄膜…